DMTH6009LPSQ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI5060-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11.76 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

0.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

33.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

2.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMTH6009

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

15.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns

Tags

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