BUK7E1R9-40E,127

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

I2PAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

118 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

324 W

Configuración:

Único

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Otoño:

52 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

49 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

87 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

35 ns

Unidad de peso:

0.084199 oz

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