ISP12DP06NMXTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

- 2.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

125 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

- 20.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

4.2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

ISP06P008

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

5.2 S

Otoño:

7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Parte # Alias:

ISP12DP06NM SP004987268

Tags

ISP12, ISP1, isp