SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4668DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 16.2A 5.0W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4668DY-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SI4668DY-T1-E3 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI4668DY-E3
Unidad de peso
0.006596 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SOIC-Narrow-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
2.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
18 ns
Hora de levantarse
12 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
16 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
11.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
10.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
73 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
21 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI466, SI46, SI4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4668DY-T1-E3
DISTI # SI4668DY-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.5236
SI4668DY-T1-E3
DISTI # 781-SI4668DY-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V 16.2A 5.0W
RoHS: Compliant
0
  • 2500:$0.4760
  • 5000:$0.4530
  • 10000:$0.4360
Imagen Parte # Descripción
SI4668DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4668DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4668DY-T1-GE3

MOSFET 25V 16.2A 5.0W 10.5mohm @ 10V
SI4668DY-T1-E3

Mfr.#: SI4668DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4668DY-T1-E3

MOSFET 25V 16.2A 5.0W
SI4668DY-T1-E3

Mfr.#: SI4668DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4668DY-T1-E3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 16.2A 5.0W
SI4668DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4668DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4668DY-T1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 16.2A 5.0W 10.5mohm @ 10V
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de SI4668DY-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,65 US$
0,65 US$
10
0,62 US$
6,21 US$
100
0,59 US$
58,86 US$
500
0,56 US$
277,95 US$
1000
0,52 US$
523,20 US$
Empezar con
Top