IPG20N10S4L22ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20 mOhms, 20 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

27 nC, 27 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

60 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

IPG20N10

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

18 ns, 18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns, 3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns, 30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 5 ns

Parte # Alias:

IPG20N10S4L-22 IPG2N1S4L22XT SP000866570

Unidad de peso:

0.003439 oz

Tags

IPG20N10S4L, IPG20N1, IPG20, IPG2, IPG