STD14NM50N

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

900 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

2 V

Qg - Carga de puerta:

42 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

90 W

Configuración:

Único

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

MDmesh

Embalaje:

Carrete

Serie:

STD14NM50N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MDmesh II Power MOSFET

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

32 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STD14N, STD14, STD1, STD