BSC320N20NS3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

36 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

27 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

OptiMOS 3 Power Transistor

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

29 S

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

BSC320N20NS3GATMA1 BSC32N2NS3GXT SP000676410

Unidad de peso:

0.003527 oz

Tags

BSC320N20NS3G, BSC320N20NS3, BSC320N20NS, BSC320, BSC32, BSC3, BSC