SI4505DY-T1-GE3

SI4505DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4505DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4505DY-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SI4505DY-T1-GE3 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI4505DY-GE3
Unidad de peso
0.006596 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Medio puente
Tipo FET
Canal N y P
Potencia máxima
1.2W
Tipo transistor
1 N-Channel 1 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V, 8V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
6A, 3.8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
18 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
1.8V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
20nC @ 5V
Disipación de potencia Pd
1.2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V 8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
6.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V - 8 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
42 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N Canal P
Tags
SI4505DY-T, SI4505, SI450, SI45, SI4
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4505DY-T1-GE3
DISTI # SI4505DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.6160
SI4505DY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4505DY-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V
RoHS: Compliant
0
  • 2500:$0.5600
  • 5000:$0.5320
  • 10000:$0.5130
Imagen Parte # Descripción
SI4505DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4505DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4505DY-T1-GE3

MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V
SI4505DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4505DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4505DY-T1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V
SI4505DY

Mfr.#: SI4505DY

OMO.#: OMO-SI4505DY-1190

Nuevo y original
SI4505DY-T1

Mfr.#: SI4505DY-T1

OMO.#: OMO-SI4505DY-T1-1190

Nuevo y original
SI4505DY-T1-E3

Mfr.#: SI4505DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4505DY-T1-E3-VISHAY

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
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Valores:
Available
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0,77 US$
10
0,73 US$
7,31 US$
100
0,69 US$
69,26 US$
500
0,65 US$
327,05 US$
1000
0,62 US$
615,60 US$
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