KSB811GTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

T

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 25 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 5 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

110 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

400

Altura:

3.7 mm

Longitud:

4 mm

Embalaje:

Ammo Pack

Ancho:

2.31 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corriente continua del colector:

- 1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

70

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.008466 oz

Tags

KSB811, KSB81, KSB8, KSB