2N2369A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-18

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

15 V

Colector- Voltaje base VCBO:

40 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

4.5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

500 mV

Corriente máxima del colector de CC:

200 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

500 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Serie:

2N2369

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.84 mm

Embalaje:

A granel

Ancho:

5.84 mm

Marca:

Semiconductor central

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20 at 100 mA, 1 V

Pd - Disipación de energía:

360 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N2369A PBFREE

Tags

2N2369A, 2N2369, 2N236, 2N23, 2N2