PMDXB600UNEZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-1010B-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

600 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 Ohms, 3 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

400 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

380 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

1 S

Otoño:

51 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.6 ns

Unidad de peso:

0.000042 oz

Tags

PMDXB6, PMDX, PMD