TP90H180PS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Transphorm

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

GaN Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

900 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

205 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

18 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

78 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Transphorm

Otoño:

7.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

26 ns

Tags

TP90, TP9