STD3NM60T4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

42 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.4 mm

Longitud:

6.6 mm

Serie:

STD3NM60

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

6.2 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

2.7 S

Otoño:

10.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STD3NM6, STD3NM, STD3N, STD3, STD