STN2NE10L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

400 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.8 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

STN2NE10L

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.5 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

3 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Unidad de peso:

0.003951 oz

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