IAUS300N08S5N012ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSOG-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

231 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

375 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

55 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

19 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

69 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

31 ns

Parte # Alias:

IAUS300N08S5N012

Tags

IAUS, IAU