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SP8J3FU6TB

SP8J3FU6TB
Mfr. #:
SP8J3FU6TB
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 30V 3.5A P-CHAN DUAL
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SP8J3FU6TB Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Semiconductor Rohm
categoria de producto
Chips de IC
Serie
-
embalaje
Tape & Reel (TR)
Unidad de peso
0.030018 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SOP
Configuración
Dual Dual Drain
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Potencia máxima
2W
Tipo transistor
2 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
490pF @ 10V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
3.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
90 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 1mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
5.5nC @ 5V
Disipación de potencia Pd
2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
15 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
3.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
90 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
35 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
10 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SP8J3, SP8J, SP8
Service Guarantees

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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 8-Pin SOP T/R
***i-Key
MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC
***ment14 APAC
MOSFET, DUAL, PP, 30V, 3.5A
***nell
MOSFET,DUAL, PP, 30V, 3.5A; Transistor Type:Low Gate Drive; Transistor Polarity:Dual P; Voltage, Vds Typ:-30V; Current, Id Cont:3.5A; Resistance, Rds On:0.165ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4V; Voltage, Vgs th Typ:-2.5V; Case Style:SOP-8; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:14A; Power, Pd:2W; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:-2.5V; Voltage, Vgs th Min:-1V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SP8J3FU6TB
DISTI # SP8J3FU6TB-ND		ROHM SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.5251
SP8J3FU6TB
DISTI # 755-SP8J3FU6TB		ROHM SemiconductorMOSFET 30V 3.5A P-CHAN DUAL
RoHS: Compliant		0
    Imagen Parte # Descripción
    SP8J3FU6TB

    Mfr.#: SP8J3FU6TB

    OMO.#: OMO-SP8J3FU6TB

    		 MOSFET 30V 3.5A P-CHAN DUAL
    SP8J3FU6TB

    Mfr.#: SP8J3FU6TB

    OMO.#: OMO-SP8J3FU6TB-ROHM-SEMI

    		 MOSFET 30V 3.5A P-CHAN DUAL
    SP8J3

    Mfr.#: SP8J3

    OMO.#: OMO-SP8J3-1190

    		 Nuevo y original
    SP8J3 FU6TB

    Mfr.#: SP8J3 FU6TB

    OMO.#: OMO-SP8J3-FU6TB-1190

    		 Nuevo y original
    SP8J3 TB

    Mfr.#: SP8J3 TB

    OMO.#: OMO-SP8J3-TB-1190

    		 Nuevo y original
    SP8J3TB

    Mfr.#: SP8J3TB

    OMO.#: OMO-SP8J3TB-1190

    		 Nuevo y original
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    1500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de SP8J3FU6TB es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    0,79 US$
    0,79 US$
    10
    0,75 US$
    7,48 US$
    100
    0,71 US$
    70,89 US$
    500
    0,67 US$
    334,80 US$
    1000
    0,63 US$
    630,20 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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