STW47NM60ND

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

35 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

88 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

145 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

255 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Tubo

Serie:

STW47NM60ND

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

17 S

Otoño:

50 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

600

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

120 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

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