FDMS3660AS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-56-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

13 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V, 2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V, 20 V

Qg - Carga de puerta:

21 nC, 64 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.2 W, 2.5 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

Power Stage PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

FDMS3660AS

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

173 S, 240 S

Otoño:

3 ns, 5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns, 5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21 ns, 38 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 12 ns

Unidad de peso:

0.006032 oz

Tags

FDMS3660, FDMS366, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM