ZTX855

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

150 V

Colector- Voltaje base VCBO:

250 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

210 mV

Corriente máxima del colector de CC:

4 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

90 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

ZTX855

Altura:

4.01 mm

Longitud:

4.77 mm

Embalaje:

A granel

Ancho:

2.41 mm

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

4 A

Pd - Disipación de energía:

1.2 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.016000 oz

Tags

ZTX855, ZTX85, ZTX8, ZTX