BSP135H6433XTMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Agotamiento

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.6 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

BSP135

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

0.16 S

Otoño:

182 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.4 ns

Parte # Alias:

BSP135 H6433 SP001058592

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

BSP135H, BSP135, BSP13, BSP1, BSP