DMN10H099SFG-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI3333-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

54 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

25.2 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

980 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerDI

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

7.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.4 ns

Unidad de peso:

0.002540 oz

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DMN10H099SF, DMN10H0, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN