DMN2058UW-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

35 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

7.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.13 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

3.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2 ns

Unidad de peso:

0.000317 oz

Tags

DMN2058, DMN205, DMN20, DMN2, DMN