2N6551

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-202-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

2 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

375 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2N6551

Ganancia de corriente CC hFE Max:

300 at 50 mA, 1 V

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

25 at 500 mA, 1 V

Pd - Disipación de energía:

10 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N6551 PBFREE

Tags

2N655, 2N65, 2N6