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TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ
Mfr. #:
TK100L60W,VQ
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK100L60W,VQ Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK100L60W,VQ DatasheetTK100L60W,VQ Datasheet (P4-P6)TK100L60W,VQ Datasheet (P7-P9)TK100L60W,VQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
TK100L60W,VQ más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-3PL-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
600 V
Id - Corriente de drenaje continua:
100 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
15 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3.7 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
30 V
Qg - Carga de puerta:
360 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
797 W
Configuración:
Único
Nombre comercial:
DTMOSIV
Altura:
26 mm
Longitud:
20 mm
Serie:
TK100L60
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
5 mm
Marca:
Toshiba
Otoño:
125 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
130 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
100
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
690 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
230 ns
Unidad de peso:
0.245577 oz
Tags
TK100L, TK100, TK10, TK1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
DTMOSIV(WITH FAST DIODE)_600V_18MOHM MAX(VGS=10V)_TO-3P(L)
***roFlash
Mosfet N Ch 600V 100A TO3P(L)
***
100V 18M OHM VGS=10V TO-3P(L)
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Imagen Parte # Descripción
ESDS304DBVR

Mfr.#: ESDS304DBVR

OMO.#: OMO-ESDS304DBVR

 TVS Diodes / ESD Suppressors 3.6V Data-Line Surge and 30kV ESD Protection Diode Array 5-SOT-23 -40 to 125
ADUM141E1BRZ

Mfr.#: ADUM141E1BRZ

OMO.#: OMO-ADUM141E1BRZ

 Digital Isolators IC Robust Quad ISO 3:1 ch
ISO3082DWR

Mfr.#: ISO3082DWR

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MBRD10100CT

Mfr.#: MBRD10100CT

OMO.#: OMO-MBRD10100CT

 Schottky Diodes & Rectifiers 2x 5A 100V Rectifier
IS66WVH16M8ALL-166B1LI

Mfr.#: IS66WVH16M8ALL-166B1LI

OMO.#: OMO-IS66WVH16M8ALL-166B1LI

 DRAM 128Mb 16Mbx8 1.8V 166MHz HyperRAM
TPS4H160AQPWPRQ1

Mfr.#: TPS4H160AQPWPRQ1

OMO.#: OMO-TPS4H160AQPWPRQ1

 Power Switch ICs - Power Distribution 40-V/160-mA Quad Channels
1747981-1

Mfr.#: 1747981-1

OMO.#: OMO-1747981-1

 HDMI, Displayport & DVI Connectors HDMI 19P HDR R/A SMT
MFR-25FBF52-121R

Mfr.#: MFR-25FBF52-121R

OMO.#: OMO-MFR-25FBF52-121R

 Metal Film Resistors - Through Hole 121 OHM 1/4W 1%
IS66WVH16M8ALL-166B1LI

Mfr.#: IS66WVH16M8ALL-166B1LI

OMO.#: OMO-IS66WVH16M8ALL-166B1LI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

 SRAM 128Mb 16Mbx8 1.8V 166MHz HyperRAM
1747981-1

Mfr.#: 1747981-1

OMO.#: OMO-1747981-1-TE-CONNECTIVITY

 HDMI, Displayport & DVI Connectors HDMI 19P HDR R/A SMT
Disponibilidad
Valores:
179
En orden:
2162
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
35,88 US$
35,88 US$
5
29,80 US$
149,00 US$
10
29,57 US$
295,70 US$
25
28,96 US$
724,00 US$
50
28,66 US$
1 433,00 US$
100
28,51 US$
2 851,00 US$
250
26,26 US$
6 565,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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