MRF5S9070NR5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

N

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

600 mA

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

68 V

Ganar:

17.8 dB

Potencia de salida:

14 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-270-3

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Altura:

2.08 mm

Longitud:

9.7 mm

Frecuencia de operación:

1 GHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

6.15 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

219 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Unidad de peso:

0.018681 oz

Tags

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