2N5550

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

140 V

Colector- Voltaje base VCBO:

160 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.25 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.6 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

300 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2N5550

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.21 mm

Embalaje:

A granel

Ancho:

4.19 mm

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

0.6 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

60 at 1 mA, 5 V, 60 at 10 mA, 5 V, 20 at 50 mA, 5 V

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N5550 PBFREE

Unidad de peso:

0.016000 oz

Tags

2N5550, 2N555, 2N55, 2N5