CGH09120F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN

Ganar:

21 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

120 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 10 V, 2 V

Id - Corriente de drenaje continua:

28 A

Potencia de salida:

20 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

28 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

56 W

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Embalaje:

Bandeja

Solicitud:

Telecom

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

910 MHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 150 C

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

NF - Figura de ruido:

3 dB

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3 V

Tags

CGH0, CGH