QH8KA1TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSMT-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

56 mOhms, 56 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3 nC, 3 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

1.7 S, 1.7 S

Otoño:

3.5 ns, 3.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.5 ns, 7.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns, 10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 5 ns

Parte # Alias:

QH8KA1

Tags

QH8KA, QH8K, QH8