2N5551RL1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

160 V

Colector- Voltaje base VCBO:

180 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.25 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.6 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

300 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2N5551

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

4.19 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

0.6 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

80

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Tags

2N5551R, 2N5551, 2N555, 2N55, 2N5