H5N2008P-E

H5N2008P-E
Mfr. #:
H5N2008P-E
Fabricante:
ISC
Descripción:
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
H5N2008P-E Ficha de datos
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H5N2008P, H5N2008, H5N20, H5N2, H5N
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***p One Stop Japan
Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Magazine
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH Si 200V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
H5N2008PISCTO-3P5000
    Imagen Parte # Descripción
    H5N2001

    Mfr.#: H5N2001

    OMO.#: OMO-H5N2001-1190

    Nuevo y original
    H5N2003P

    Mfr.#: H5N2003P

    OMO.#: OMO-H5N2003P-1190

    Nuevo y original
    H5N2004

    Mfr.#: H5N2004

    OMO.#: OMO-H5N2004-1190

    Nuevo y original
    H5N2004DL

    Mfr.#: H5N2004DL

    OMO.#: OMO-H5N2004DL-1190

    Nuevo y original
    H5N2004DS

    Mfr.#: H5N2004DS

    OMO.#: OMO-H5N2004DS-1190

    Nuevo y original
    H5N2004DSTLE

    Mfr.#: H5N2004DSTLE

    OMO.#: OMO-H5N2004DSTLE-1190

    Nuevo y original
    H5N2007

    Mfr.#: H5N2007

    OMO.#: OMO-H5N2007-1190

    Nuevo y original
    H5N2007FN-E

    Mfr.#: H5N2007FN-E

    OMO.#: OMO-H5N2007FN-E-1190

    Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
    H5N2007LSTL-E

    Mfr.#: H5N2007LSTL-E

    OMO.#: OMO-H5N2007LSTL-E-RENESAS-ELECTRONICS-AMERICA

    MOSFET N-CH HS SW TO-263
    H5N2008P,H5N2008P-E,5N20

    Mfr.#: H5N2008P,H5N2008P-E,5N20

    OMO.#: OMO-H5N2008P-H5N2008P-E-5N20-1190

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    30,45 US$
    10
    28,93 US$
    289,28 US$
    100
    27,40 US$
    2 740,50 US$
    500
    25,88 US$
    12 941,25 US$
    1000
    24,36 US$
    24 360,00 US$
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