FQD4P40TM-AM002

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

400 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

18 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

QFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

FQD4P40

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

55 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Parte # Alias:

FQD4P40TM_AM002

Unidad de peso:

0.010294 oz

Tags

FQD4P40TM, FQD4P40T, FQD4P4, FQD4P, FQD4, FQD