APTGV50H120BTPG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Puente completo

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1.2 kV

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.7 V, 3.2 V

Corriente continua del colector a 25 C:

75 A, 70 A, 130 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

100 nA, 400 nA

Pd - Disipación de energía:

270 W, 312 W, 650 W

Paquete / Caja:

SP6-P

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 100 C

Marca:

Microchip / Microsemi

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

IGBT

Unidad de peso:

3.880136 oz

Tags

APTGV5, APTGV, APTG, APT