AUIRFP4110

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

210 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

370 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.7 mm

Longitud:

15.87 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.31 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

160 S

Otoño:

88 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

67 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

78 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Parte # Alias:

SP001517386

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

AUIRFP4, AUIRFP, AUIRF, AUIR, AUI