CSD18543Q3AT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSONP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

11.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

66 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

3.15 mm

Serie:

CSD18543Q3A

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

40 S

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

0.000977 oz

Tags

CSD18543Q, CSD18543, CSD1854, CSD185, CSD18, CSD1, CSD