STQ1HNK60R-AP

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

400 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8.5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

30 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

4.95 mm

Longitud:

4.95 mm

Serie:

STQ1HNK60R

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.94 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.5 ns

Unidad de peso:

0.007760 oz

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