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FCAB21490L1

FCAB21490L1
Mfr. #:
FCAB21490L1
Fabricante:
Panasonic
Descripción:
MOSFET Split wide Pad Dual CSP Nch MOSFET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
FCAB21490L1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
FCAB21490L1 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Panasonic
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TCSP1530011-N1-10
Número de canales:
2 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
12 V
Id - Corriente de drenaje continua:
29 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
3.1 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
900 mV
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
8 V
Qg - Carga de puerta:
25 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
-
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
3.5 W
Configuración:
Doble
Embalaje:
Carrete
Serie:
FCAB
Tipo de transistor:
2 N-Channel
Marca:
Panasonic
Otoño:
4.1 us
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
1.5 us
Cantidad de paquete de fábrica:
1000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
6.7 us
Tiempo típico de retardo de encendido:
700 ns
Tags
FCAB21, FCAB, FCA
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD
***
DUAL NCH MOSFET
***ark
Mosfet, Dual N-Ch, 12V, 29A, Csp; Transistor Polarity:dual N Channel; Continuous Drain Current Id:-; Drain Source Voltage Vds:-; On Resistance Rds(On):0.0021Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:900Mv Rohs Compliant: Yes
Power CSP MOSFETs
Panasonic Power CSP MOSFETs feature a unique Power Mount CSP package that allows for a 5% improvement in thermal dissipation while reducing the size by 80% over conventional solutions. The package structure consists of a unique pad design and drain clip technology for higher thermal performance. These Panasonic power MOSFET transistors employ a fine trench silicon technology that provides a 47% lower RDS(on) over the same-sized conventional chip. These Power CSP MOSFETs are optimized for load switches that combine low RDS(on) in a smaller form factor. The devices are also an ideal fit for Li-Ion battery applications in which low RDS(on) is necessary.
Imagen Parte # Descripción
NVMFS5A160PLZWFT1G

Mfr.#: NVMFS5A160PLZWFT1G

OMO.#: OMO-NVMFS5A160PLZWFT1G

 MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
EFC3J018NUZTDG

Mfr.#: EFC3J018NUZTDG

OMO.#: OMO-EFC3J018NUZTDG

 MOSFET PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
FDMC86183

Mfr.#: FDMC86183

OMO.#: OMO-FDMC86183

 MOSFET PTNG 100/20V Nch Trench Mosfet
EFC8811R-TF

Mfr.#: EFC8811R-TF

OMO.#: OMO-EFC8811R-TF

 MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
IX4340NE

Mfr.#: IX4340NE

OMO.#: OMO-IX4340NE

 Gate Drivers Dual 5A Gate Driver IC
DRV5032FBDBZT

Mfr.#: DRV5032FBDBZT

OMO.#: OMO-DRV5032FBDBZT

 Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors Ultra-Low Power 1.65V to 5.5V Hall Effect Switch 3-SOT-23 -40 to 85
3046

Mfr.#: 3046

OMO.#: OMO-3046

 WiFi Development Tools (802.11) Assembled Feather HUZZAH w/ESP8266
3386

Mfr.#: 3386

OMO.#: OMO-3386-ADAFRUIT

 Adafruit PiRTC - PCF8523 Real Time Clock for Raspberry Pi
EFC8811R-TF

Mfr.#: EFC8811R-TF

OMO.#: OMO-EFC8811R-TF-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET 2N-CH 6CSP
3046

Mfr.#: 3046

OMO.#: OMO-3046-ADAFRUIT

 Assembled Adafruit Feather HUZZAH with ESP8266 WiFi With Headers
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1985
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El precio actual de FCAB21490L1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
1,44 US$
1,44 US$
10
1,15 US$
11,50 US$
100
0,81 US$
81,00 US$
500
0,75 US$
375,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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