BCY58-IX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-18

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

32 V

Colector- Voltaje base VCBO:

32 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.7 V

Corriente máxima del colector de CC:

200 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

150 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

100 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

40 At 10 uA, 5 V

Pd - Disipación de energía:

340 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

BCY58-IX PBFREE

Tags

BCY58, BCY5, BCY