FQA9N90-F109

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3PN-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

900 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.3 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

240 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

QFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.1 mm

Longitud:

16.2 mm

Serie:

FQA9N90_F109

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

80 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

100 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

450

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

135 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

45 ns

Parte # Alias:

FQA9N90_F109

Unidad de peso:

0.225789 oz

Tags

FQA9N90-F, FQA9N9, FQA9N, FQA9, FQA