ZXT12N20DXTC

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MSOP-8

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

20 V

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7.5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

160 mV

Corriente máxima del colector de CC:

3.5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

112 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

250 at 10 mA, 2 V

Altura:

0.95 mm

Longitud:

3.1 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

3.1 mm

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

3.5 A

Pd - Disipación de energía:

870 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.004938 oz

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ZXT12N20DXT, ZXT12N2, ZXT12N, ZXT12, ZXT1, ZXT