IPD60N10S4L12ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

49 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

94 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

IPD60N10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

21 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4 ns

Parte # Alias:

IPD60N10S4L-12 IPD6N1S4L12XT SP000866550

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPD60N10S4L, IPD60N1, IPD60N, IPD60, IPD6, IPD