STP110N8F6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

110 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

150 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

200 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

STripFET

Altura:

15.75 mm

Longitud:

10.4 mm

Serie:

STP110N8F6

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Ancho:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

48 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

61 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

162 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

24 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

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