ZXMN10A25GTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

125 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.9 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.65 mm

Longitud:

6.7 mm

Serie:

ZXMN10A

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.7 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

9.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.9 ns

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

ZXMN10A2, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM