CSD87381P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PTAB-5

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

16.3 mOhms, 7.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V, 1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

3.9 nC, 8.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.48 mm

Longitud:

3 mm

Serie:

CSD87381P

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

40 S, 89 S

Kit de desarrollo:

CSD87381PEVM-603

Otoño:

3 ns, 2.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

19.3 ns, 16.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10.6 ns, 16.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.7 ns, 7.9 ns

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