APT21M100J

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

21 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

380 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

260 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

462 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

8.9 mm

Longitud:

38 mm

Producto:

MOSFET

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

25.2 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

34 S

Otoño:

33 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

130 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

39 ns

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

APT2, APT