BUK7S0R7-40HJ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

LFPAK88-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

425 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

700 uOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

144 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

375 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tags

BUK7S, BUK7, BUK