MRF9030LR1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

19 dB

Potencia de salida:

30 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI-360-3

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Altura:

4.45 mm

Longitud:

20.45 mm

Frecuencia de operación:

1 GHz

Serie:

MRF9030L

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

5.97 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

92 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.9 V

Unidad de peso:

0.103628 oz

Tags

MRF9030LR, MRF9030L, MRF903, MRF90, MRF9, MRF