MAGX-000040-00500P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

MACOM

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN SiC

Ganar:

13.5 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

0.3 A

Potencia de salida:

5.3 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 95 C

Pd - Disipación de energía:

12 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-89-3

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Fuente común

Frecuencia de operación:

4 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 95 C

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaN SiC HEMT

Marca:

MACOM

Transconductancia directa - Mín .:

0.1 S

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

100

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3 V

Unidad de peso:

0.004603 oz

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