TK16A60W5,S4VX

TK16A60W5,S4VX
Mfr. #:
TK16A60W5,S4VX
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK16A60W5,S4VX Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK16A60W5,S4VX DatasheetTK16A60W5,S4VX Datasheet (P4-P6)TK16A60W5,S4VX Datasheet (P7-P9)TK16A60W5,S4VX Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
TK16A60W5,S4VX más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-220FP-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
600 V
Id - Corriente de drenaje continua:
15.8 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
190 mOhms
Qg - Carga de puerta:
43 nC
Pd - Disipación de energía:
40 W
Configuración:
Único
Nombre comercial:
DTMOSIV
Altura:
15 mm
Longitud:
10 mm
Serie:
TK16A60W5
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
4.5 mm
Marca:
Toshiba
Tipo de producto:
MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
MOSFET
Unidad de peso:
0.211644 oz
Tags
TK16A60W5, TK16A6, TK16A, TK16, TK1
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
DTMOSIV(WITH FAST DIODE)_600V_190MOHM MAX(VGS=10V)_TO-220SIS
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Imagen Parte # Descripción
AC050000B4709J6BCS

Mfr.#: AC050000B4709J6BCS

OMO.#: OMO-AC050000B4709J6BCS

Wirewound Resistors - Through Hole 5watt 47ohms 5% 6kV Fusible/Safety Res.
AC050000B4709J6BCS

Mfr.#: AC050000B4709J6BCS

OMO.#: OMO-AC050000B4709J6BCS-VISHAY

RES 47 OHM 5W 5% AXIAL
SLP102M200E7P3

Mfr.#: SLP102M200E7P3

OMO.#: OMO-SLP102M200E7P3-CORNELL-DUBILIER-ELECTRONICS

Aluminum Electrolytic Capacitors - Snap In 1000uF 200V 20% 105C
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4000
Ingrese la cantidad:
El precio actual de TK16A60W5,S4VX es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
4,37 US$
4,37 US$
10
3,51 US$
35,10 US$
100
3,20 US$
320,00 US$
250
2,89 US$
722,50 US$
500
2,59 US$
1 295,00 US$
1000
2,19 US$
2 190,00 US$
2500
2,08 US$
5 200,00 US$
5000
2,00 US$
10 000,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
Empezar con
Top