AFT18S230SR5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

1.8 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 mV, 65 V

Ganar:

19 dB

Potencia de salida:

50 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI-780S-6

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

1.805 GHz to 1.88 GHz

Serie:

AFT18S230S

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

NXP / Freescale

Número de canales:

1 Channel

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Parte # Alias:

935311128178

Unidad de peso:

0.162645 oz

Tags

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