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TH58NVG4S0FBAID

TH58NVG4S0FBAID
Mfr. #:
TH58NVG4S0FBAID
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
NAND Flash 3.3V 16Gb 32nm ITemp SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TH58NVG4S0FBAID Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TH58NVG4S0FBAID más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
FBGA-63
Tamaño de la memoria:
16 Gbit
Tipo de interfaz:
Parallel
Organización:
2 G x 8
Tipo de tiempo:
Sincrónico
Ancho del bus de datos:
8 bit
Voltaje de suministro - Min:
2.7 V
Voltaje de suministro - Máx:
3.6 V
Corriente de suministro - Máx .:
30 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
NAND
Producto:
NAND Flash
Velocidad:
25 ns
Marca:
Memoria Toshiba
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
NAND Flash
Cantidad de paquete de fábrica:
168
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
TH58NVG4S0F, TH58NVG4S, TH58NVG4, TH58NVG, TH58NV, TH58N, TH58, TH5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
SLC NAND Flash Serial 3.3V 16Gbit 2G X 8bit 25ns 63-Pin TFBGA Tray
***ronik
NAND-Flash 2Gx8 3.3V BGA63
TH58NVG Series 16GB CMOS NAND EEPROM
Toshiba TH58NVG Series 16GB CMOS Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND EEPROM) offers 3.3V and is organized as (4096+256) bytes x 64 pages x 8192 blocks. Program and read data is transferred between the register and the memory cell array in 4352-byte increments, granted through two 4352-byte static registers. I/O pins are utilized for both address and data input/output including command inputs through the TH58NVG Series serial type memory. Applications include image file memory for still cameras, solid-state file storage and voice recording.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TH58NVG4S0FBAID
DISTI # TH58NVG4S0FBAID		Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Serial 3.3V 16Gbit 2G X 8bit 25ns 63-Pin TFBGA Tray - Trays (Alt: TH58NVG4S0FBAID)
RoHS: Compliant
Min Qty: 168
Container: Tray		Americas - 0
    TH58NVG4S0FBAID
    DISTI # 757-TH58NVG4S0FBAID    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 3.3V 16Gb 32nm ITemp SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      TH58NVG2S3HBAI4

      Mfr.#: TH58NVG2S3HBAI4

      OMO.#: OMO-TH58NVG2S3HBAI4

      		 NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
      TH58NVG4S0HTA20

      Mfr.#: TH58NVG4S0HTA20

      OMO.#: OMO-TH58NVG4S0HTA20

      		 NAND Flash 3.3V 16Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
      TH58NVG3S0HTAI0

      Mfr.#: TH58NVG3S0HTAI0

      OMO.#: OMO-TH58NVG3S0HTAI0-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

      		 EEPROM 3.3V, 8 Gbit CMOS NAND EEPROM
      TH58NVG4S0FTAK0

      Mfr.#: TH58NVG4S0FTAK0

      OMO.#: OMO-TH58NVG4S0FTAK0-231

      		 EEPROM 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
      TH58NVG1S3EBAI4

      Mfr.#: TH58NVG1S3EBAI4

      OMO.#: OMO-TH58NVG1S3EBAI4-1190

      		 Nuevo y original
      TH58NVG6D1DTG20

      Mfr.#: TH58NVG6D1DTG20

      OMO.#: OMO-TH58NVG6D1DTG20-1190

      		 Nuevo y original
      TH58NVG6D1DTG80

      Mfr.#: TH58NVG6D1DTG80

      OMO.#: OMO-TH58NVG6D1DTG80-1190

      		 Nuevo y original
      TH58NVG6D2ELA49

      Mfr.#: TH58NVG6D2ELA49

      OMO.#: OMO-TH58NVG6D2ELA49-1190

      		 Nuevo y original
      TH58NVG3S0HTAI0-ND

      Mfr.#: TH58NVG3S0HTAI0-ND

      OMO.#: OMO-TH58NVG3S0HTAI0-ND-1190

      		 Nuevo y original
      TH58NVG4S0HTAK0-ND

      Mfr.#: TH58NVG4S0HTAK0-ND

      OMO.#: OMO-TH58NVG4S0HTAK0-ND-1190

      		 Nuevo y original
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      2000
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